国功率半导体领域领路人中科院陈星弼院士逝世

北京时间4日晚,四川成都电子科技大学消息证实,九三学社社员、中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效,于当日17时10分在成都逝世,享年89岁。

陈星弼是中国第一批学习及从事半导体科技的人员之一,是中国知名的半导体器件及微电子学专家。

国功率半导体领域领路人中科院陈星弼院士逝世

陈星弼。(图片来源:北京《光明日报》微信公众号)

中新社报道,陈星弼1931年1月28日出生于上海,祖籍浙江浦江,1947年至1952年就读于同济大学电机系,先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院(现电子科技大学)工作。1999年当选为中国科学院院士,2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士(IEEE Life Fellow)。

陈星弼是中国功率半导体领域的领路人和集大成者。他发表超过200篇学术论文,获得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家,他的超结发明专利打破传统“硅极限”,被国际学术界誉为“高压功率器件新的里程碑”。该发明专利成功转让并实现产业化,目前超结器件全球年市场销售额超过10亿美元。

陈星弼曾获得诸多荣誉,包括中国国家发明奖及科技进步奖2项,省部级奖励13项。陈星弼2015年获得IEEE ISPSD颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”,成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。陈星弼2018年入选IEEE ISPSD首届名人堂,成为首位入选名人堂的华人科学家。

电子科技大学官网介绍,ISPSD是IEEE主办的不带地区色彩的高水平学术会议,是功率器件领域的顶级国际学术会议。该会每年举办一届,自1992年的第三届开始,轮流在日本(2007年为韩国)、美国(1999年为加拿大)和欧洲举办。自2015年起,中国成为该会的常任举办国之一。

今年以来,中国已经送别29位两院院士。

上海澎湃新闻报道,今年有17位中国科学院院士逝世,分别是:

1月16日逝世的“两弹一星”功勋奖章得主、知名核物理学家于敏,

1月19日逝世的知名物理化学家梁敬魁,

1月29日逝世的中国科学院上海药物研究所研究员金国章,

2月22日逝世的凝聚态物理学家王业宁,

3月7日逝世的全国名中医沈自尹,

6月3日逝世的知名物理学家汤定元,

6月17日逝世的陆军军医大学教授孔祥复,

7月28日逝世的原总装备部科技委正军职常任委员李济生,

8月1日逝世的知名化学家查全性,

8月6日逝世的知名化学家卓仁禧,

8月12日逝世的华南农业大学原校长卢永根,

8月26日逝世的湿法冶金学家陈家镛,

8月27日逝世的知名物理学家章综,

8月31日逝世的知名工程热物理学家王补宣,

10月4日逝世的自动控制专家张嗣瀛,

10月22日逝世的知名固体地球物理学家曾融生,

12月4日逝世的半导体器件及微电子学专家陈星弼。

另有12名中国工程院院士逝世,分别为:

1月1日逝世的四川大学教授涂铭旌,

1月8日逝世的知名心血管外科专家高长青,

2月3日逝世的上海交通大学教授阮雪榆,

2月22日逝世的知名土木工程材料专家孙伟,

5月11日逝世的中国工程设计大师容柏生,

5月28日逝世的知名材料科学家李恒德,

6月14日逝世的北京交通大学原校长宁滨,

6月29日逝世的东南大学教授孙忠良,

9月5日逝世的化学纤维工程技术管理专家季国标,

9月10日逝世的知名工程地震学家李玶,

10月1日逝世的泥沙与河床演变专家韩其为,

10月3日逝世的儿科血液学专家胡亚美。

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